“拋光的時候，下盤在電動機的帶動下轉動，粘有硅片的平板可繞本身的軸轉動，保證了拋光的均勻。

    從下盤的中-央注入拋光液，也是我們研發的自主專利技術產品，拋光液可以在離心力作用下向周圍散開。

    在拋光過程中，旁邊的測溫儀會精準控制盤溫，在摩擦產生的熱量的促進下，拋光液中的OH-根使硅片表面氧化，同時拋光液中的拋光粉顆粒將氧化層磨去，從而起到了將硅片表面逐漸拋光的作用。”

    李毅風簡單講了一下他們確定的拋光工藝流程。

    與光刻膠不同，拋光工藝考的就是一個材料精密和膽大心細，所以周瑜并沒有過多深入這個項目，而是在給了技術參數相關文件之后，就當起了甩手掌柜。

    “按照您給出的文件標準，晶圓需要經過邊緣粗拋和表面精拋兩次加工處理，其表面才能達到芯片制造的工藝要求。

    但是在實際實驗的過程中，我們發現國外那個實驗室這樣做的原因其實是對成本的取舍。

    邊緣拋光的目的是去除硅片表面殘留的機械損傷，降低微粒附著于晶圓的可能性，并使晶圓具有較佳的機械強度，以降低因碰撞而產生碎片的可能性，我們將邊緣拋光的時間拉長，并且增加了更精密的壓力傳感器之后，已經夠達到從晶圓表面去除20μm（微米）到10μm（微米）左右厚度的技術標準?

    第二次精拋，目的是去除第一次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和云霧狀缺陷，這一個流程非常難處理，后續我們也是找設備研發部門，花費巨資購買了一臺拋光機，拆分研究，逆向工程之后，才發現了其中奧秘。

    最終的拋光步驟并不是只有一層拋光那么簡單。

    我們需要進行化學腐蝕和機械摩擦的結合，晶圓被裝在旋轉的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉，我們研發的二氧化硅拋光液必須要懸浮在適度的含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上，讓堿性拋光液在晶圓表面生成一薄層二氧化硅。

    接著再讓拋光機以持續的機械摩擦，去除氧化物，直到晶圓表面的所有突出高點都被去除掉，才能夠獲得一塊標準的平整表面。

    拋光時間，晶圓和拋光墊上的壓力、旋轉速度、拋光液顆粒尺寸、拋光液流速、拋光液的pH值、拋光墊材料等項目，我們都進行了內部重建和開發。

    幸運的是，咱們的研發團隊足夠年輕，學習知識的速度快，所以在進行了重組之后，大家可以很快學習技術并且上手實操，反饋優化。”

    李毅風一邊講解的時候，一邊遞給了周瑜一份人員名單。

    “董事長，這是幾位比較突出的研發人員，他們學習技術的速度很快，而且常常能夠舉一反三，特別是那位西工大畢業的學生，鄭海，他不僅參與了拋光液的研發，還在光拋器這個機械項目上有很多點子。

    只不過有一點我們需要重視，那就是為了部分設備的精密度足夠優秀，又不引起霓虹島國和高麗那邊企業的敏感性，我們團隊高價從德國購買了精密度高的機床，同時還讓人力資源部門幫忙招聘了一個工程師團隊。

    幸虧電視機工廠那邊有師傅認識相關從業人員，不然我們這款拋光機的研發還需要不少時間。”