本來剛開始大家都在聽彈道二維硒化銦晶體管的技術(shù)，隨后聽著聽著，包括李賢審、鄭承夏、楊剛省在內(nèi)的技術(shù)高管就有些明悟了。

    現(xiàn)在硅基芯片的性能、功耗還有一個(gè)進(jìn)步方向！

    就是用彈道二維硒化銦晶體管代替以往的晶體管結(jié)構(gòu)。

    這樣可以做到在不需要大范圍更換設(shè)備的情況下，再一次將新科半導(dǎo)體掌握的5納米工藝和5+納米工藝芯片的性能再向前進(jìn)一大步，跨越式領(lǐng)先。

    預(yù)計(jì)的技術(shù)極限又被打破。

    而且彈道二維硒化銦晶體管是基于二維材料硒化銦（InSe）的晶體管，而不是基于碳基材料，所以這代表著新科半導(dǎo)體可以在硅基芯片領(lǐng)域保持領(lǐng)先優(yōu)勢的時(shí)間被再一次延長。

    只不過彭德行講解的速度很快，周瑜還沒有感覺自己休息多久，就在一旁聽到這位半導(dǎo)體大佬講道：“不論是當(dāng)初在學(xué)校實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的項(xiàng)目實(shí)驗(yàn)，還是到咱們新科半導(dǎo)體任職，我都越發(fā)堅(jiān)信，只有擁有自主技術(shù)才不會(huì)被其他人卡住未來。

    在我個(gè)人看來，InSe晶體管能夠讓硅基芯片再向前一步，但碳基芯片仍然是支撐數(shù)字經(jīng)濟(jì)的最佳選擇。

    就像董事長之前所說的那樣，要實(shí)現(xiàn)超大規(guī)模高性能集成電路，首先就需要在大面積的基底上制備出超高半導(dǎo)體純度、順排、高密度和大面積均勻的單壁碳納米管陣列。

    后續(xù)我們團(tuán)隊(duì)的主要精力，也會(huì)放在這個(gè)項(xiàng)目上，和大家一起攻克它！”

    當(dāng)彭德行的話語說完，房間內(nèi)立刻響起了雷鳴般的掌聲。

    周瑜也在一旁雙手拍擊鼓掌，除了有為彭德行教授的理念想法鼓掌之外，在周瑜心中還有些許感慨和開心。

    感慨大夏聯(lián)邦一直堅(jiān)持義務(wù)教育，才能夠在茫茫人海中選拔出如此多優(yōu)秀的科研人才，才能夠讓自家公司有如此收獲。

    開心則是因?yàn)椋K于可以將腦海中的碳基芯片弄出來了，周瑜很想知道，當(dāng)他把碳基芯片、量子芯片都具現(xiàn)到現(xiàn)實(shí)之后，腦海中的神秘晶石會(huì)不會(huì)有新的變化。

    片刻之后，周瑜再次走上了主講臺(tái)。

    在肯定了彭德行教授團(tuán)隊(duì)的成果和付出之后，周瑜面對(duì)著眾位科學(xué)家、教授說道：“情況就是如此，InSe結(jié)構(gòu)晶體管可以幫助我們?cè)诠杌酒I(lǐng)域有更進(jìn)一步探索的可能性。

    而我們現(xiàn)在要做的已經(jīng)不是硅基芯片的技術(shù)落地，而是碳基芯片項(xiàng)目的推進(jìn)。