但是鄭承夏教授卻根本就沒給周瑜故弄玄虛的機(jī)會(huì)，直接開口說道：“董事長你說的是讓我們換個(gè)思維方式吧？”

    周瑜對(duì)這位老教授伸出了右手大拇指點(diǎn)贊。

    “沒錯(cuò)，就是換一個(gè)思維方式，不要將碳基芯片當(dāng)做硅基半導(dǎo)體芯片去做，要從最初的選材就開始自己探索。

    比如硅基芯片的大概制造流程就是先找到品質(zhì)比較好的硅石，提純二氧化硅（SiO）然后冶煉成為硅錠，制成硅棒，升級(jí)為芯片級(jí)單晶硅棒，再切割成硅片，選擇出最優(yōu)秀的硅片晶圓，然后使用光刻技術(shù)在晶圓上，用光雕琢出芯片。

    現(xiàn)在咱們研發(fā)硅基芯片受到的限制，其根本原因就是由于硅原子的物理特性以及隧穿效應(yīng)的影響。

    硅原子的直徑約為納米，當(dāng)芯片的制程縮小到1納米時(shí)，已經(jīng)無法再繼續(xù)增加晶體管的數(shù)量，因?yàn)楣柙拥拇笮∠拗屏诵酒倪M(jìn)一步縮小。

    此外，當(dāng)芯片的制程達(dá)到1納米時(shí)，隧穿效應(yīng)會(huì)變得非常明顯，導(dǎo)致電流無法按照預(yù)期流動(dòng)，從而影響芯片的性能和穩(wěn)定性。

    哪怕是使用EUV光刻機(jī)和FinFET結(jié)構(gòu)等技術(shù)手段進(jìn)行升級(jí)，但這些技術(shù)雖然能在一定程度上提高性能，卻無法完全克服物理極限！”

    周瑜隨手拿過一塊還未使用的黑板，用特制的磁性筆在上面書寫著硅基芯片的簡略制造流程和缺陷。

    雖然現(xiàn)實(shí)商業(yè)競爭當(dāng)中，臺(tái)積電還在想著競爭5納米工藝，夢(mèng)想著突破3納米工藝，但是周瑜早就已經(jīng)看到了五納米以下制程技術(shù)的迭代困難程度。

    現(xiàn)在基于硅基芯片研發(fā)的技術(shù)工藝，的確是全球頂尖但是在數(shù)年之后，先進(jìn)的設(shè)備也會(huì)變得落后，硅基芯片的未來前景早就已經(jīng)有了厚厚的一層陰影。

    之所以之前沒有帶領(lǐng)公司的工程師們直接推進(jìn)碳基芯片項(xiàng)目，也是因?yàn)檎麄€(gè)大夏聯(lián)邦的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才、資源還沒有如今這樣豐富和強(qiáng)大，自家公司的半導(dǎo)體人才、設(shè)備、研發(fā)經(jīng)驗(yàn)太過稀缺。

    而現(xiàn)在，硅基芯片項(xiàng)目快摸到天花板了，也是時(shí)候帶著這群半導(dǎo)體精英工程師向碳基芯片沖鋒了。

    李賢審、鄭承瀚以及負(fù)責(zé)新科光源項(xiàng)目的高管周潭、光刻膠項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人楊剛省、李明偉；拋光項(xiàng)目的工程師李毅風(fēng)、晶圓培育負(fù)責(zé)人李明偉等人，在一眾專家教授、半導(dǎo)體頂級(jí)工程師的陪伴下，耐心聽著周瑜梳理技術(shù)脈絡(luò)。

    雖然這些內(nèi)容都是行業(yè)最淺顯的知識(shí)，但是在這一行干的時(shí)間太久，他們也在工作中發(fā)現(xiàn)有不少人會(huì)干著干著就開始“鉆牛角尖”，在細(xì)分的職業(yè)賽道上狂奔，逐漸忘了行業(yè)其他環(huán)節(jié)的技術(shù)協(xié)同。

    隨后，周瑜在黑板上畫起了一個(gè)晶體管的特殊設(shè)計(jì)方案。

    =←——→←——=