“將晶圓切片進行初步加工得到晶圓，接下來將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上，一般情況下，這些技術工序都會由晶圓代工廠完成。

    畢竟像擴散、薄膜生長、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序都不是單一的企業(yè)、機構可以輕易做出來的，我們將其鋪開的話，就需要有對應的設備。

    比如擴散爐、氧化爐、CVD/PVD設備、清洗設備、光刻機、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機、拋光機等高精尖儀器設備。

    而且作為半導體生產(chǎn)流程的直接生產(chǎn)環(huán)境，晶圓加工步驟并不僅僅是這一些程序，每一道程序需要的技藝與我們組裝電視機、手機相比，只會更加精密。

    除此之外，這些程序工藝的設備要求極高，我們大夏聯(lián)邦目前還不具備完整生產(chǎn)能力，比如光刻、離子注入和拋光等工藝設備，我們有的基本都是上世紀的老裝備。

    剛剛我拿到了一堆咱們大夏聯(lián)邦目前發(fā)展比較優(yōu)秀的半導體企業(yè)名單，雖然對方吹得天花亂墜，但是實際調查下來，這些公司當中只有小部分還算可以合作，其他公司基本都是成品組裝和稍微改裝工藝，在設備與工藝技術自主這個領域，不能說完全沒有自主權，只能說它們可以自主控制的技術，基本都已經(jīng)不在一線甚至不在二線領域。

    摩爾定律雖然并不是那么嚴謹，但是在十納米之前，也能夠勉強適合研發(fā)環(huán)境，一年半的時間，集成電路芯片的晶體管數(shù)量將增加一倍，技術持續(xù)發(fā)展下集成電路線寬不斷縮小，不僅芯片的制程會越來越高，芯片半導體的設備投資也會呈指數(shù)級上升趨勢。

    目前國外已經(jīng)有公司在研發(fā)四十納米半導體產(chǎn)線，其中設備投資高達數(shù)十億美元。

    去年，阿斯麥和臺積電共同研發(fā)的浸沒式光刻機雖然不足以實現(xiàn)芯片更加精細化的處理，但是阿斯麥和阿美瑞克的國立實驗室、頂尖院校、公司在內的50多個單位，剛剛在這段時間完成了對極紫外光源的研發(fā)。

    EUV極紫外光光刻機設備，進一步提升了芯片的性能。雖然臺積電還沒有將其落地到使用當中，但是我預測EUV光刻機，絕對會成為智能手機、高端電腦和各類數(shù)據(jù)處理器等關鍵芯片的絕對性核心工具。”

    當周瑜講到這里的時候，實驗室內眾人已經(jīng)有不少人的嘴巴張開，目光驚詫中，更是帶著些許呆滯。

    難道董事長要咱們自研光刻機？

    半導體材料部門負責人楊剛省，目光低垂。

    在這一刻，他回想起自己曾經(jīng)在西工大學習的日子，那是多么輕松愉快。

    雖然錢不多，但是事情少。雖然學妹不多，但是其他專業(yè)的妹子多啊。

    研發(fā)光刻機這種事情，讓他干一輩子，可能也就是堪堪做到普通光刻機的程度，要想研發(fā)出極紫外光源，制造現(xiàn)在阿斯麥公司的那種光源？

    雖然有些舍不得公司目前的薪資待遇，但楊剛省對辭職還是有了一點想法。

    至少現(xiàn)在辭職了，還能夠頂著西蜀新科芯片項目高層的名頭，去其他公司混，哦不，去其他公司拿高薪。