“沒錯，成功了，只不過目前還是八英寸的晶圓培育，但是有個優勢，那就是成本較低。”

    芯片需要的半導體硅晶圓，必須要雜質含量極低，除此之外，還必須是指定的晶體結構，必須是光學表面，并達到指定的電氣性能和對應的相應規格要求。

    當周瑜穿著實驗服進入晶圓培育的實驗室時，這位負責人一臉感慨。

    “純度高達99%的硅，它是一種我們稱為多晶或者多晶硅的晶體結構，為了能夠得到這個程度硅，我們花費了五千萬，才勉強搞定了設備問題。

    董事長您應該也看過那些技術文件，應該知道半導體晶圓是從晶棒上切割得來，而晶棒是從大塊具有多晶結構和未摻雜的本征半導體生長得來，搞到了原材料，我們找方法也是忙活了許久，后來還是一位剛畢業的碩士誤打誤撞找到了方法?！?br/>
    周瑜在李明偉感慨的時候，就透過觀察玻璃，看著實驗室里面一位身影年輕的女性研究員在操作著設備。

    “設備的主體還是這個石英坩堝，由帶射頻波的線圈環繞來加熱，主要還是我們沒有穩定的優秀電流加熱器來進行加熱。

    首先將多晶和摻雜物加熱到液態，接著將籽晶安置到剛接觸到液面，籽晶是具有和所需晶體相同晶向的小晶體，可由化學氣相的技術制造。

    還有工廠實際生產的話，也可以拿之前生長的單晶重復使用，這就是直拉法。

    當籽晶從熔融物中慢慢上升時，晶體生長才剛剛開始，籽晶和熔融物間的表面張力致使一層熔融物的薄膜附著到籽晶上然后冷卻。

    在冷卻過程中，在熔化的半導體材料的原子定向到籽晶一樣的晶體結構，籽晶的定向在生長的晶體中傳播。在熔融物中的摻雜原子進入生長的晶體中，生成N型或者P型這兩種晶體。

    您給出的文件當中，國外實驗室為了實現均勻摻雜、完美晶體和直徑控制，籽晶和坩堝在整個晶體生長過程中以相反的方向旋轉，工藝控制需要一套復雜的反饋系統，綜合轉速、拉速及熔融物溫度參數。

    如果不是軟件工程部門和設備研發部門都派來工程師，以及您和其他工程師的幫助，我們根本研發不了這一套復雜的反饋系統。

    晶體只要是生長的，就不可能是真的完美無缺的，但是在半導體器件中，晶體缺陷會引起有害的漏電流，會導致器件無法正常工作。

    所以我們還在開發缺陷檢測系統。”