“在集團(tuán)實驗室設(shè)備控制下，我們的彈道二維硒化銦晶體管打破了四個硅基芯片的極限。

    第一點，硅基芯片的溝長極限為12納米，而我們的晶體管可以縮小到10納米，同時保持理想的亞閾值擺幅75毫伏量程。

    第二點，硅基芯片目前的理論極限是典雅0.6伏，我們的彈道二維硒化銦晶體管可以將電壓縮小到0.5伏，將器件電流從100納安/微米標(biāo)準(zhǔn)關(guān)態(tài)打開到超過1毫安/微米開態(tài)。

    第四點，門延時縮減到皮秒，四倍優(yōu)勢于硅基極限皮秒。

    最后就是我們這種晶體管的功耗延遲積縮減到-29焦秒/微米，比硅基芯片的理論極限低一個量級。”

    在彭德行教授說出這四個優(yōu)勢的時候，現(xiàn)場這些位科學(xué)家、半導(dǎo)體工程師神態(tài)各異，但眼神卻有著相同的驚奇、佩服。

    周瑜看到這一幕，并沒有浪費時間，等了幾秒之后就使用平板進(jìn)入了自己的云端文件庫，在與彭德行教授耳語了幾句之后，這才將彈道二維硒化銦晶體管與硅基晶體管的技術(shù)比較圖片資料放在了身后的大屏幕上。

    然后他才鼓掌，吸引眾人的目光，開口說道：“彭教授團(tuán)隊做這個項目的時間其實并不短，只不過以前他們團(tuán)隊能夠用到的資源太少，不論是實驗資金還是實驗設(shè)備，距離國際頂尖半導(dǎo)體工廠還是有一定的距離，在進(jìn)入咱們集團(tuán)之后，我們沒有調(diào)整團(tuán)隊人員的工作崗位，并且增加了研究員、工程師，并且在征求同意之后，將實驗需求與公司、工廠以及合作企業(yè)做了對接。

    彭教授，這些圖表的數(shù)據(jù)，您比我更加清楚，我也相信在座的大家都很想要更深入仔細(xì)了解該晶體管的具體優(yōu)勢，您上臺講講吧。”

    見狀，其他人也趕忙說道：“彭教授，講一講吧！我們真的好奇！”

    “老彭，快講一講。”

    看到這些熟悉的面孔這樣焦急，彭德行又轉(zhuǎn)頭看向已經(jīng)走到主講臺上做邀請姿態(tài)的青年董事。

    想起自己最開始在京兆大學(xué)的不被看好，后面有了一些成果，也沒有辦法進(jìn)行頂級半導(dǎo)體設(shè)備的參與測試，到進(jìn)入新科集團(tuán)之后被一堆頂級資源包圍，只要理論方向沒有問題，就能夠申請試用，試用有優(yōu)秀結(jié)果，后續(xù)更是能夠長時間使用。

    人心一念，彭德行欣然接受，帶著戰(zhàn)友和學(xué)生們走到主講臺前。

    周瑜退到了一旁，將舞臺交給了這個團(tuán)隊。

    很快，在這個房間響起了講解彈道二維硒化銦晶體管的聲音。

    “圖1a描述了設(shè)計具有良好導(dǎo)通和關(guān)斷特性的超尺度彈道晶體管的基本物理規(guī)則，主要就是兩個比較關(guān)鍵的材料數(shù)據(jù)——熱速度和縮放長度。超算模擬計算和測試結(jié)果表明，我們創(chuàng)新這種Y-InSe結(jié)構(gòu)的能量最低，是所有潛在結(jié)構(gòu)中最穩(wěn)定的。

    圖2a顯示了彈道晶體管與其他二維短通道場效應(yīng)晶體管的七個典型飽和輸出特性的比較，測試結(jié)果也證明二維InSeFET其他短通道二維FET的電壓要低得多……”