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      第九五六章 研發極紫外光

          前世雖然Nikon憑借技術實力和資金實力先后研制成功F2準分子激光器和浸沒式光刻技術,生產成功浸沒式光刻機,但半導體產業更新換代迅速,導致Nikon光刻機的可靠性能始終落后于ASML,從此,全球高端光刻機龍頭Nikon逐漸敗給了全球光刻機新霸主ASML。

          前世由于ASML獨有的EUV光源無人能夠研制,國內光刻機光源生產公司的技術沒有競爭力,以美國為首的西方國家并沒有限制ArF準分子激光器和ArFi準分子激光器的出口。

          BSEC可以直接進口市場價45五萬美元一臺的GCA牌ArF準分子激光器,購買蔡司公司生產的光學系統,進口6英寸晶圓,加上獨創的光刻機磁懸浮式雙工作臺系統,就能生產1um制程工藝的光刻機,雖然6英寸晶圓、1um制程工藝的半導體生產線是西方國家淘汰的生產線,但在國內還大有市場。

          BSEC就可以活下來!

          理想很美好,但現實很骨感,BSEC就是能制造1um制程工藝的光刻機,不代表能生產6英寸晶圓、1um制程工藝的半導體生產線!

          國內缺乏半導體生產線設備的全產業鏈,如今都壓在了BSEC的肩上。

          BSEC生產的1um制程工藝的光刻機也沒有晶圓公司會用!

          誰投資誰倒霉,這就是“造不如買、買不如租”的主要原因!

          好在193nm波長的世界性光學難題將困惑光刻機行業八年,給了BSEC成長的機會,不然重生者也無能為力。

          BSEC的突破點就是趕在ASML之前率先研制成功世界上第一臺193nm波長的浸沒式光刻機!

          孫健所有的運作就是圍繞這個突破點!

          EUV光刻機太過復雜,即使投入巨資研發成功EUV光源,但對相關的光學系統、光刻膠、掩膜版等設備和材料的要求太過苛刻,需要十萬個零件,據說前世有五千多家生產商為EUV光刻機供貨,重生者還不敢付諸實踐。

          “孫董事長,BSEC能否不轉讓磁懸浮式雙工作臺系統專利給Nikon?”

          擁有了BSEC的磁懸浮式雙工作臺系統專利的終身授權,GCA光刻機光學精密設備研究所升級改造,只要研制成功適應800nm制程工藝的磁懸浮式雙工作臺系統(不能出售和轉讓專利技術),GCA光刻機的制程工藝就有可能達到500nm,達到Nikon光刻機的制程工藝,購買休斯電子材料公司(AEMC)生產的8英寸晶圓,還能提高35%左右的產能。

          有了磁懸浮式雙工作臺系統和蔡司公司的光學系統,Gikon重新爭奪高端光刻機市場份額的資本。

          但前提是BSE。

          “艾德里安總經理,BSEC開發的光刻機磁懸浮式雙工作臺系統拿到日本和歐美國家簽發的公司發明專利,要等18個月左右。”

          “孫董事長,我放心了!”

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